上海888腾博会电子-MOSFET场效应管_MOS管选型_电源管理解决方案_电磁兼容EMC免费测试供应厂家

N+P道MOSFET

LM3439

  • PackageSOT-363
  • Vdss Min(V) Drain-Source voltage20/-20
  • Drain Current ID(A)25℃0.75@N -0.66@P
  • Vgs(V)12
  • Vth Typ0.35..1.1/-0.35..-1.1
  • Ron(10V) (mΩ)Typ-
  • Ron(10V) (mΩ) Max-
  • Ron(4.5V) (mΩ)Typ260/460
  • Ron(4.5V) (mΩ)Max400/700
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